1994年4月に発足したデバイス系の研究室です。それまでは， 5年間日立製作所のデバイス開発センタに勤務していました。企業での経験を生かして，将来のVLSIデバイスの研究を行っています。
実際に自分でデバイスを試作・評価して，新しい発見を追究するのが私の信条です。机上の空論に終わらないために，シミュレーション結果も必ず実測と比較して実証するよう心がけています。即ち，平本研は実験主体の研究室です。新しい生産技術研究所内に藤田研究室と共同でクリーンルームを有し，実際にVLSIデバイスを試作できる日本では数少ない研究室の一つです。
研究内容の大きな特徴は，将来のVLSIデバイスに3つの方向からアプローチしていることです。1つは従来のデバイスの延長線上として，1つは回路技術との協調で，そしてもう1つはシリコンナノテクノロジーを駆使して作製する単一電子素子などの新概念デバイスからです。このようなアプローチは極めて独創的です。
半導体は日本を支える大きな産業であり，シリコンデバイスの世界では当然のことながら企業の力が強いため，大学で新しい成果を出すのは易しいことではありませんが，逆に大学で成果を挙げると産業界から非常に注目されます。特に日本の大学では，これまでVLSIデバイスの研究があまり行われてこなかったため，この分野で活躍することは大きなチャンスだと思います。大学のフットワークの良さを最大限に発揮し，将来のデバイスコンセプトを大学から発信していくことが私の目標です。
新人の学生には明確な研究方針を指導しますが，やる気のある学生に対しては各学生の自由な発想を尊重し，自由に研究を進めてもらっています。成果のあがった学生には，国内外を問わず学会等でどんどん発表してもらいます。例えば，博士課程まで進んだ人は，在学中に2-5回も海外出張に出かけます。
この10年間に，低消費電力MOSFET，微細MOSFET中の量子効果，およびシリコン単一電子デバイスの研究で大きな成果を挙げています。SOIを含めた低消費電力デバイスの研究は，まさに日本の企業がもっとも注目している技術であり，平本研の研究内容は非常に高く評価していただいています。また，シリコン単一電子素子の研究では，世界でも先駆的な業績をあげることができました。これらの成果はすべて大学院生の活躍によるものです。
VLSIデバイス分野では国際電子デバイス会議（IEDM）という国際会議が毎年12月に米国で開催されます。この会議が最もレベルが高く，ここで成果を発表することがデバイス研究者の共通の目標です。インテルやIBMから最先端のデバイスがこの会議で発表されます。当然，平本研でもIEDMで発表することが最大の目標です。日本の大学からの発表が極めて少ない中，1998年12月に初めて平本研から2件の発表を行い，内外から大いに注目を集めました。昨年までに9件の発表を行っています。この7年間で9件という発表件数は，日本の大学では際だって多い数字です。これらの発表は1件を除いてすべて大学院生が行いました。
上記IEDMで，2001年12月に発表した間島君（当時博士課程3年）の論文が，Best Student Paper Awardを受賞しました。これは大変名誉なことで，研究室一同とても喜んでいます。これまでこの栄誉ある賞は，米国とヨーロッパからしか受賞していませんでしたが，今回の受賞は日本を含めたアジアから初の受賞ということになります。
さらに、2004年12月にIEDMで発表を行った齋藤真澄君（当時博士課程3年）の論文が、再びBest Student Paper Awardを受賞しました。平本研究室から2度目の受賞です。
その他にも平本研の大学院生はいろいろな賞をいただいています。特に，応用物理学会での活躍がめざましく，これまでに応用物理学会奨励賞を6名の大学院生が受賞しています。
さらに詳しく知りたい人，研究室を見学したい人は，直接平本まで遠慮なくご連絡下さい。 研究室の所在地は、駒場リサーチキャンパスの生産技術研究所です。
平本俊郎
Email: hiramoto (at) nano.iis.u-tokyo.ac.jp
Tel/Fax: 03-5452-6263
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