1. 概要
今後さらなる発展が見込まれるシリコン集積エレクトロニクスの研究室です．さまざまな機能が融合した将来の”Extended
CMOS”と呼ぶべき究極の集積デバイスを目指して，超低電力トランジスタ技術，極微細デバイス物理，新機能デバイス等の研究を行っています．図は，従来のトランジスタ微細化・高性能化を中心とするMore
Moore技術をベースに，さまざまな機能が融合して集積エレクトロニクスが広がっていく様子を表しています．高度情報化社会の基盤となる半導体の主役は，今後もCMOS技術であると私たちは考えています．
2. 主な研究内容
(1) 回路との協調によるデバイスの高性能化
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(1-1) 特性ばらつきの製造後一括自己修復に関する研究 |
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(1-2) 基板バイアス効果を利用した高性能化と低消費電力化 |
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(2) デバイスの微細化とデバイス物理
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(2-1) トランジスタ特性にばらつきに関する研究 |
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(2-2) 極微細シリコンMOSFETにおける量子力学的効果の研究 |
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(2-3) シリコンナノワイヤトランジスタ |
(3) ナノデバイスによる機能化
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(3-1) シリコン単電子トランジスタの物性探究とVLSIへの新機能追加 |