1. 概要
今後さらなる発展が見込まれるシリコン集積エレクトロニクスの研究室です．さまざまな機能が融合した将来の”Extended
CMOS”と呼ぶべき究極の集積デバイスを目指して，超低電力トランジスタ技術，極微細デバイス物理，新機能デバイス等の研究を行っています．図は，従来のトランジスタ微細化・高性能化を中心とするMore
Moore技術をベースに，さまざまな機能が融合して集積エレクトロニクスが広がっていく様子を表しています．高度情報化社会の基盤となる半導体の主役は，今後もシリコンおよびCMOS技術であると私たちは考えています．
2. 主な研究内容
2.1. シリコンCMOSの低消費電力化
2.2. 微細トランジスタにおける特性ばらつき
2.3. シリコンナノワイヤトランジスタ
2.4. 急峻スロープトランジスタ
2.5. 強誘電体HfO2ナノ薄膜による新規メモリの開拓
2.6. シリコン量子ビットの研究
2.7. シリコンパワーデバイスの研究
3. 研究室の特徴
駒場キャンパスにシリコン専用のクリーンルームを有し，シリコンデバイスを実際に試作できる日本の大学では数少ない研究室の一つです．学会活動では，この分野で最も権威ある国際電子デバイス会議(IEDM)で1998年12月以降28件の論文を発表し，Best Student Paper Awardを2度も受賞しました．卒業生は企業・大学で大活躍しています．